- Термин
- суперструктура поверхности
- Термин на английском
- surface superstructure
- Синонимы
- Аббревиатуры
- Связанные термины
- поверхность, сверхструктура, модель поверхности Si(111)7x7
- Определение
- термин, используемый для обозначения специфической структуры верхнего атомного слоя (или нескольких слоев) кристалла.
- Описание
Возникновение термина "сверхструктура" обусловлено тем, что структура поверхностного слоя может сильно отличаться от структуры нижележащих слоев кристалла, причем это имеет место даже для атомарно чистых поверхностей в отсутствие каких-либо посторонних адсорбатов.
Запись для обозначения определенной суперструктуры связывает ее двумерную решетку с решеткой идеальной плоскости подложки. Обычно это делается с помощью одного из двух способов, представленных ниже.
Запись, предложенная Парком и Мадденом, заключается в определении матрицы, которая устанавливает связь между векторами примитивных трансляций поверхности и векторами примитивных трансляций идеальной плоскости подложки. Если as, bs и a, b - вектора трансляций суперструктуры и плоскости подложки, соответственно, то они могут быть описаны соотношениямиas = G11 a + G12b,
bs = G21a + G22b,
и суперструктура может быть представлена в виде матрицы
G11 G12
G21 G22.
Иногда используется и запись в виде (G11, G12) ?(G21, G22).Более наглядная, но менее универсальная запись была предложена Элизабет Вуд. В этой записи указывается отношение длин векторов примитивных трансляций суперструктуры и плоскости подложки. Если необходимо, то указывается и угол, на который следует повернуть элементарную ячейку поверхности, чтобы ее оси совместились с векторами примитивных трансляций подложки. Таким образом, если на поверхности подложки X(hkl) образовалась суперструктура с векторами примитивных трансляций
|as| = m|a|, |bs| = n|b| и углом поворота ?o, то эта суперструктура описывается в виде
X(hkl)m ? n - R ?o .
Если оси элементарной ячейки совпадают с осями подложки, т.е. ? = 0, то нулевой угол поворота не указывается (например, Si(111)7?7). Для обозначения центрированной решетки используется буква c (например, Si(100) c(4 ?2)). Если образование суперструктуры вызвано адсорбатом, то в конце записи указывается химический символ этого адсорбата (например, Si(111)4?1-In).
- Авторы
- Зотов Андрей Вадимович, д.ф.-м.н.
- Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.
- Ссылки
- Park R.L., Madden H.H. Annealing changes on the (100) surface of palladium and their effect on CO adsorption // Surface Science. 1968. Vol. 11, N 2. P. 188-202.
- Wood E.A. Vocabulary of surface crystallography // J. Appl. Phys. 1964. Vol. 35. N 4. P. 1306 - 1312.
- Введение в физику поверхности: Пер. с англ. / Оура Кендзиро, Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. - М. Наука, 2006. - 490 с.
- Иллюстрации
- Теги
- Разделы
- Методы нанесения элементов наноструктур и наноматериалов
Наука
Энциклопедический словарь нанотехнологий. — Роснано. 2010.