- Термин
- модель поверхности Si(111)7x7
- Термин на английском
- DAS model
- Синонимы
- Аббревиатуры
- Связанные термины
- дифракция медленных электронов, микроскопия медленных электронов, поверхность, сканирующая туннельная микроскопия, суперструктура поверхности
- Определение
- Модель димеров-адатомов и дефекта упаковки, так называемая DAS-модель (dimer-adatom-stacking fault) (см. рис.)
- Описание
- Модель предложена Такаянаги в 1985 году для описания реконструкции атомарно чистой поверхности Si(111)7?7. Элементарная ячейка реконструкции 7?7 состоит из угловой ямки и двух треугольных подъячеек, которые разделяются димерными рядами; каждая подъячейка содержит по 6 адатомов; атомный слой ниже слоя адатомов в одной из подъячеек находится в ориентации дефекта упаковки. Правильность этой модели была подтверждена результатами последующих многочисленных исследований.
- Авторы
- Зотов Андрей Вадимович, д.ф.-м.н.
- Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.
- Ссылки
- Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi S., Takahashi M. // Surf. Sci. - V. 164 , 1985 - P. 367
- Иллюстрации
Атомарно-чистая поверхность Si(111)7?7: СТМ-изображения (а) заполненных и (б) незаполненных электронных состояний поверхности, (в) схематическое изображение поверхности (вид сверху и вид сбоку) в соответствии с DAS-моделью (dimer-adatom-stacking fault) Такаянаги. Желтыми кружками показаны адатомы Si, красными – димеризованные атомы Si, голубыми – рест-атомы Si второго слоя. Ромбом обведена элементарная ячейка 7?7. Половина элементарной ячейки, содержащая дефект упаковки, помечена как FH (faulted half); половина без дефекта упаковки помечена как UH (unfaulted half). Видно, что на СТМ-изображении заполненных состояний (а) половина ячейки с дефектом упаковки выглядит более яркой. Максимумы на СТМ изображении соответствуют адатомам.
- Теги
- Разделы
- Наука
Энциклопедический словарь нанотехнологий. — Роснано. 2010.