Akademik

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ: общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p — n-переходы (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник — металл, полупроводник -диэлектрик и их сочетания).

Наряду с одиночными П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые и н т е г р а л ь н ы е м и к р о с х е м ы — монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготавливаются в едином технология, процессе.

Табл. 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОРОДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА

Табл. 2. МНОГОПЕРЕХОДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Табл. 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ С ОДНИМ p-n-ПЕРЕХОДОМ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ ИЛИ ПЕРЕХОДОМ МЕТАЛЛ — ПОЛУПРОВОДНИК

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

- общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников - однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p- п - переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник - металл, полупроводник - диэлектрик и их сочетания).

Табл. 1. - Полупроводниковые приборы на основе однородного полупроводника

Внешнее воздействие	Используемое явление (свойство)	Название прибора	Число электродов
Свет	Пропускание света выше определ. частоты	Оптич. фильтр	0
"	Генерация носителей заряда под действием света	Полупроводниковый лазер с оптич. накачкой
Электронный пучок	Генерация носителей под действием электронов	Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком	-
Электрич. поле E	Электропроводность полупроводника s ток I=s Е	Резистор (сопротивление)	-
"	Ганна эффект	Генератор Ганна	2
Свет частоты w и E		Фотосопротивление (фоторезистор)	2
E и магн. поле н	Магнето резистивный эффект ( магнето-сопротивление)	Сопротивление (резистор), управляемое магн. полем	2
"	Холла эффект; V_Н=f( Е, Н)	Датчик Холла	4
Е, темп-pa Т	Зависимость электропроводности полупроводника от темп-ры; I=s(T)E	Термистор (терморезистор)	2
Е, давление p	Тензорезистивный эффект	Тензодатчик	2

Табл. 2. - Многопереходные полупроводниковые приборы

Внешнее воздействие	Название	Основные особенности	Число электродов
E₁ или *Е ₂*	Биполярный транзистор	Взаимосвязанные р- и n-переходы	3
Е	Диодный тиристор	Четырёхслойная структура p - n- p - n	2
"	Триодный тиристор	p - n - p - n -структура с 1 управляю- щим электродом	3
"	Полевой транзистор с p- n -переходом	Униполярный транзистор с затвором в виде p- n -перехода
"	МДП-диод	Диоды с МДП-структурой (переменная ёмкость, светоизлучающие диоды, приёмники света)	2
"	МДП-транзистор (МДП-триод)	МДП-структура	3

Наряду с П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые интегральные схемы - монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготовляются в едином технол. процессе.

Лит.: Пасынков В. В., Чиркип Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, 4 изд., М., 1987; Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970; 3 и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., кн. 1-2, М., 1984,

Табл. 3, - Полупроводниковые приборы с одним p-n -переходом, гетеропереходом или переходом металл-диэлектрик

Внешнее воздействие	Используемое явление	Название прибора	Число электродов
Свет	Вентильная фотоэдс	Полупроводниковый фотоэлемент, солнечная батарея	2
E	Вольт-амперная характеристика p - n -перехода	Полупроводниковый диод-выпрямитель	2
"	Зависимость сопротивления p - n-перехода от приложенного напряжения	Варистор (переменное сопротивление)	2
"	Зависимость ёмкости p - n-перехода от приложенного напряжения	Варактор (переменная ёмкость)	2
"	Излучат, рекомбинация электронов и дырок в области гомо- или гетеро- р - n -перехода (спонтанная)	Светоизлучающий диод (электро-люминесцентный диод)	2
"	N -образная вольт-амперная характеристика сильнолегированного (с двух сторон) р- п- перехода (вырождение)	Туннельный диод (усиление и генерирование электрич. колебаний с частотами 10 ТГц)	2
"	Излучат, рекомбинация (вынужденная) в области гомо- или (чаще) гетеро- p- n -переходов	Инжекционный лазер	2
"	Резкое возрастание тока через p- n -переход из за лавинного пробоя и туннелирования	Стабилизатор напряжения	2
"	Генерация колебаний СВЧ, связанная с лавинным умножением и задержкой на время пролёта	Лавинно-пролётный диод (генератор)	2
"	Вольт-амперная характеристика контакта металл - полупроводник	Диод Шоттки, диод Мотта, точечный диод	2
	Генерация электронно- дырочных пар частицей, влетающей в обеднённый носителями слой вблизи контакта полупроводник - металл или вблизи p - n -перехода	Полупроводниковый детектор частиц	"
T	Зеебека эффект	Термопара, термогенератор	"
*E, T*	Пельтье эффект	Холодильник Пельтье	"
Свет, Е	Генерация электронов и дырок в области p- n- перехода под дейстием света	Фотодиод (детектор света и др.)	"

Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1988.