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Z-Diode,

 

in Rückwärtsrichtung (Sperrrichtung) betriebene Halbleiterdiode (Diode), bei der der Zener-Effekt oder der Avalancheeffekt betriebsmäßig ausgenützt wird. Die Z-D. zeichnet sich durch einen steilen Stromanstieg beim Überschreiten eines bestimmten, für den jeweiligen Typ kennzeichnenden Werts der Spannung in Rückwärtsrichtung, der Abknick- oder Z-Spannung U_Z, aus. Die Konstanz der Z-Spannung über einen großen Strombereich wird in Stabilisierungsschaltungen zur Spannungsstabilisierung und damit auch zur Gewinnung einer festen Bezugsspannung genutzt. Um eine Zerstörung durch den starken Strom zu verhindern, muss jede Z-D. mit einem strombegrenzenden Widerstand betrieben werden. Bei Siliciumdioden tritt der Zener-Effekt etwa zwischen 2 und 6,5 V auf, der Avalancheeffekt ab etwa 4,5 V, sodass zwischen 4,5 und 6,5 V beide Durchbruchmechanismen gleichzeitig wirken. - Die früher für alle Z-D. übliche Bezeichnung Zener-Diode wurde auf Wunsch von Clarence Melvin Zener (* 1905) geändert, weil in den meisten Fällen, d. h. bei größeren Z-Spannungen (sie reichen bis über 350 V), der Avalancheeffekt ausschlaggebend ist, während der Zener-Effekt nur bis zu einigen Volt beobachtet wird.